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四硼酸锂晶体是新型非铁电压晶体材料, 它兼具高声表面波有效耦合系数和低延迟温度系数等优点, 可作为温度补偿型压电基片材料, 并已在高频、高稳定度的SAW器件工业上应用。国内外均使用提拉法生长,其生长缺陷主要是芯区、条纹、开裂和散射颗粒。我所采用独创的坩埚下降法生长大直径(50~80mm)四硼酸锂,得到了无芯区、无条纹、无开裂和无散射的宏观完整晶体。我们的研究显示了潜在的效率,并为由波长为1064和800nm的广泛高功率激光器及其谐波泵浦的 LB4晶体中非线性产生太赫兹辐射提供了必要条件。

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